備案項目編號 | 2210-440112-04-02-***386 |
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項目名稱 | ***半導(dǎo)體SiC材料研發(fā)制造總部技術(shù)改造項目 |
項目所在地 | 廣州市黃埔區(qū)永和街道***街23號 |
項目總投資 | 51800萬元 |
項目規(guī)模及內(nèi)容 | 本項目在“志橙半導(dǎo)體SiC材料研發(fā)制造總部項目”主廠房基礎(chǔ)上,主廠房二樓1900平方米,三樓2200平方米做潔凈區(qū)改造,總投資額5.18億元,其中固定資產(chǎn)投資額3.5億元,主要用作第三代半導(dǎo)體用碳化硅外延制品研發(fā),增加設(shè)備:TVUTP-V1000型常壓燒結(jié)爐、TVCVD-UT1520型CVD爐、ESCALAB Xi+型X-射線光電子能譜儀等 |
建設(shè)單位 | 廣州***半導(dǎo)體有限公司 |
備案機(jī)關(guān) | 開發(fā)區(qū)行政審批局 |
備案申報日期 | 2022-10-21 |
復(fù)核通過日期 | 2022-10-21 |
項目起止年限 | 2023-10-01至2025-09-01 |
項目當(dāng)前狀態(tài) | 辦結(jié)(通過) |
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