項(xiàng)目信息 |
備案項(xiàng)目編號 |
2020-441900-35-03-100270 |
項(xiàng)目名稱 |
石碣百達(dá)半導(dǎo)體材料二期產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目 |
項(xiàng)目所在地 |
東莞市石碣鎮(zhèn)西南村西南五街旁 |
項(xiàng)目總投資 |
4300.0萬元 |
項(xiàng)目規(guī)模及內(nèi)容 |
建設(shè)六層廠房1棟,建筑面積12895.2平方米,九層宿舍1棟,建筑面積4199.2平方米,主要用于半導(dǎo)體材料研發(fā)和生產(chǎn),產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于LED、IC、電容、電阻、二/三級管登相關(guān)領(lǐng)域,主要設(shè)備有六高速成型粒子機(jī)1臺(tái),九高速成型粒子機(jī)5臺(tái),十二高速成型粒子機(jī)1臺(tái),年產(chǎn)量達(dá)400千萬米 |
建設(shè)單位 |
東莞市石碣鎮(zhèn)西南股份經(jīng)濟(jì)聯(lián)合社 |
備案機(jī)關(guān) |
東莞市石碣鎮(zhèn)工業(yè)信息科技局 |
備案申報(bào)日期 |
2020年11月06日 |
復(fù)核通過日期 |
2020年11月06日 |
項(xiàng)目起止年限 |
2020年12月01日 - 2021年12月01日 |
項(xiàng)目當(dāng)前狀態(tài) |
辦結(jié)(通過) |
溫馨提示:如果您聯(lián)系,請說是
粵港澳網(wǎng) wqmtaya.cn 看到的,謝謝您!
關(guān)鍵詞:
粵港澳大灣區(qū),東莞市,百達(dá),半導(dǎo)體,產(chǎn)業(yè)
公司介紹:
東莞市石碣鎮(zhèn)西南股份經(jīng)濟(jì)聯(lián)合社成立于2005年11月21日,注冊地位于
廣東省東莞市石碣鎮(zhèn)西南村大沙塘1號,法定代表人為何健勛。經(jīng)營范圍包括集體資產(chǎn)經(jīng)營與管理、集體資源開發(fā)與利用、農(nóng)業(yè)生產(chǎn)發(fā)展與服務(wù)、財(cái)務(wù)管理與收益分配等。
延伸閱讀:
半導(dǎo)體材料介紹
半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
主要種類
半導(dǎo)體材料可按化學(xué)組成來分,再將結(jié)構(gòu)與性能比較特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體單獨(dú)列為一類。按照這樣分類方法可將半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體、無機(jī)化合物半導(dǎo)體、有機(jī)化合物半導(dǎo)體和非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體。
元素半導(dǎo)體 在元素周期表的ⅢA族至IVA族分布著11種具有半導(dǎo)性的元素,下表的黑框中即這11種元素半導(dǎo)體,其中C表示金剛石。C、P、Se具有絕緣體與半導(dǎo)體兩種形態(tài);B、Si、Ge、Te具有半導(dǎo)性;Sn、As、Sb具有半導(dǎo)體與金屬兩種形態(tài)。P的熔點(diǎn)與沸點(diǎn)太低,Ⅰ的蒸汽壓太高、容易分解,所以它們的實(shí)用價(jià)值不大。As、Sb、Sn的穩(wěn)定態(tài)是金屬,半導(dǎo)體是不穩(wěn)定的形態(tài)。B、C、Te也因制備工藝上的困難和性能方面的局限性而尚未被利用。因此這11種元素半導(dǎo)體中只有Ge、Si、Se 3種元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半導(dǎo)體材料中應(yīng)用最廣的兩種材料。
無機(jī)化合物半導(dǎo)體 分二元系、三元系、四元系等。 二元系包括:①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有閃鋅礦的結(jié)構(gòu)。②Ⅲ-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb組成,典型的代表為GaAs。它們都具有閃鋅礦結(jié)構(gòu),它們在應(yīng)用方面僅次于Ge、Si,有很大的發(fā)展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物,是一些重要的光電材料。ZnS、CdTe、HgTe具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)。④Ⅰ-Ⅶ族:Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和 Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合物,其中CuBr、CuI具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)。⑤Ⅴ-Ⅵ族:Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素 S、Se、Te形成的化合物具有的形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是重要的溫差電材料。⑥第四周期中的B族和過渡族元素Cu、 Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,為主要的熱敏電阻材料。⑦某些稀土族元素 Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm與Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。 除這些二元系化合物外還有它們與元素或它們之間的固溶體半導(dǎo)體,例如Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSb-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究這些固溶體可以在改善單一材料的某些性能或開辟新的應(yīng)用范圍方面起很大作用。
三元系包括:族:這是由一個(gè)Ⅱ族和一個(gè)Ⅳ族原子去替代Ⅲ-Ⅴ族中兩個(gè)Ⅲ族原子所構(gòu)成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族:這是由一個(gè)Ⅰ族和一個(gè)Ⅲ族原子去替代Ⅱ-Ⅵ族中兩個(gè)Ⅱ族原子所構(gòu)成的, 如 CuGaSe2、AgInTe2、 AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。:這是由一個(gè)Ⅰ族和一個(gè)Ⅴ族原子去替代族中兩個(gè)Ⅲ族原子所組成,如Cu3AsSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外,還有它的結(jié)構(gòu)基本為閃鋅礦的四元系(例如Cu2FeSnS4)和更復(fù)雜的無機(jī)化合物。
有機(jī)化合物半導(dǎo)體 已知的有機(jī)半導(dǎo)體有幾十種,熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等,它們作為半導(dǎo)體尚未得到應(yīng)用。
非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體 這類半導(dǎo)體與晶態(tài)半導(dǎo)體的最大區(qū)別是不具有嚴(yán)格周期性排列的晶體結(jié)構(gòu)。
新型材料
其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,擁有卓越的電學(xué)特性,而且成本低廉,可被用于制造現(xiàn)代電子設(shè)備中廣泛使用的場效應(yīng)晶體管。
科學(xué)家們表示,最新研究有望讓人造皮膚、
智能繃帶、柔性顯示屏、智能擋風(fēng)玻璃、可穿戴的電子設(shè)備和電子墻紙等變成現(xiàn)實(shí)。
昂貴的原因主要因?yàn)殡娨暀C(jī)、電腦和手機(jī)等電子產(chǎn)品都由硅制成,制造成本很高;而碳基(塑料)有機(jī)電子產(chǎn)品不僅制造方便、成本低廉,而且輕便柔韌可彎曲,代表了“電子設(shè)備無處不在”這一未來趨勢。
以前的研究表明,碳結(jié)構(gòu)越大,其性能越優(yōu)異。但科學(xué)家們一直未曾研究出有效的方法來制造更大的、穩(wěn)定的、可溶解的碳結(jié)構(gòu)以進(jìn)行研究,直到此次祖切斯庫團(tuán)隊(duì)研制出這種新的用于制造晶體管的有機(jī)半導(dǎo)體材料。
有機(jī)半導(dǎo)體是一種塑料材料,其擁有的特殊結(jié)構(gòu)讓其具有導(dǎo)電性。在現(xiàn)代電子設(shè)備中,電路使用晶體管控制不同區(qū)域之間的電流??茖W(xué)家們對新的有機(jī)半導(dǎo)體材料進(jìn)行了研究并探索了其結(jié)構(gòu)與電學(xué)屬性之間的關(guān)系。
免責(zé)聲明:本文由粵港澳網(wǎng)編輯整理,其中部分?jǐn)?shù)據(jù)來源
廣東省政府職能部門以及網(wǎng)絡(luò)公開資料。本站僅提供粵港澳大灣區(qū)
項(xiàng)目投資基本信息,如需投資合作請多方審查。
當(dāng)前隱藏內(nèi)容需要支付0RNB
已有
人支付